LABORATORIO DI ELETTRONICA OGGETTO: RILIEVO DELLA

Claudio Fratto
Esercitazione N°3
Laboratorio di Elettronica
18-12-2007
LABORATORIO DI ELETTRONICA
ALUNNO: Fratto Claudio
CLASSE: IV B Informatico
ESERCITAZIONE N°: 3
OGGETTO: RILIEVO DELLA CURVA CARATTERISTICA
DI UN DIODO AL SILICIO
SCHEMA
DATI:
R = 100Ω
1
Claudio Fratto
Esercitazione N°3
Laboratorio di Elettronica
STRUMENTI UTILIZZATI
18-12-2007
COMPONENTI UTILIZZATI
1) Alimentatore
1) 1 resistenza da 1kΩ
2) 2 multimetri impostati uno come
2) diodo 1N4007
voltmetro e uno come milliamperometro
3) Box montaggio
DATI RILEVATI
N°
V(V)
I(mA)
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
0,463
0,529
0,548
0,563
0,574
0,630
0,655
0,663
0,670
0,677
0,687
0,696
0,700
0,707
0,1
0,4
0,6
0,6
1,0
3,0
5,0
6,0
7,0
8,0
10,0
12,0
13,0
15,0
2
Claudio Fratto
Esercitazione N°3
Laboratorio di Elettronica
18-12-2007
GRAFICO CURVA CARATTERISTICA DEL DIODO RILEVATA
SPERIMENTALMENTE
3
Claudio Fratto
Esercitazione N°3
Laboratorio di Elettronica
18-12-2007
RELAZIONE
L’esperienza effettuata in laboratorio si è articolata in tre fasi:
1) la prima fase consisteva nell’andare a rilevare i valori della caduta di tensione, avente luogo sul
diodo, per ogni prova, fornendo un valore di tensione al circuito non prestabilito ma derivato da
un valore di corrente, attraversante il diodo, già fissato;
2) la seconda fase consisteva nell’andare a riportare le coppie di valori rilevati (tensione –
corrente) su di un grafico, congiungendo tutti i punti rilevati per ottenere la curva caratteristica
del diodo utilizzato;
3) la terza fase consisteva nell’andare ad analizzare la curva ottenuta, dimostrando il
funzionamento del diodo.
•
CENNI TEORICI SUI SEMICONDUTTORI:
I materiali semiconduttori sono dei materiali che hanno una resistività, cioè una predisposizione
ad opporsi al passaggio di corrente, intermedia rispetto ai materiali conduttori e ai materiali
isolanti.
Questo genere di materiale è alla base di quasi tutti i dispositivi utilizzati nel settore
dell’elettronica.
I materiali semiconduttori puri sono costituiti da elementi che hanno una banda di valenza
composta da quattro elettroni. La banda di valenza consiste nell’insieme di quelli elettroni
caratterizzati da un livello di energia basso che gli permette di rimanere nei pressi dell’atomo al
quale appartengono. I semiconduttori puri sono quindi dei materiali composti da elementi
tetravalenti. Ciascun atomo mette in comune i quattro elettroni di valenza facendo si che, attratti
dagli atomi più prossimi, si vadano a formare dei legami, tra gli atomi stessi, di tipo covalente.
Tuttavia, nella maggior parte dei casi, i semiconduttori, poiché gli elettroni di valenza restano
nei pressi dell’atomo al quale appartengono, si comportano da ottimi isolanti, cioè non consento
il passaggio di elettroni dalla banda di valenza alla banda di conduzione. La banda di
conduzione consiste nell’insieme di quelli elettroni caratterizzati da un livello di energia alto che
gli consente di staccarsi dall’atomo di appartenenza dando origine ad una conduzione di tipo
elettrica.
I materiali semiconduttori si possono comportare anche come degli ottimi conduttori di
corrente. Ciò è possibile attraverso il processo di drogaggio. Questo processo consiste
nell’inserire all’interno della struttura atomica del materiale un elemento caratterizzato o da
cinque o da tre elettroni di valenza, che per questo motivo vengono chiamati rispettivamente
elementi pentavalenti o trivalenti.
a) Analisi di un semiconduttore drogato con elementi pentavalenti
Se un semiconduttore viene drogato con l’inserimento di elementi pentavalenti, dei cinque
elettroni che formano la banda di valenza dell’elemento drogante soltanto quattro vengono
utilizzati, dagli elettroni di valenza degli elementi che compongono il semiconduttore, per
formare dei legami covalenti. Conseguenza di ciò è che un elettrone di valenza degli
elementi pentavalenti resta libero facendo si che, se alimentassimo questo tipo di
semiconduttore drogato con un generatore esterno, l’insieme degli elettroni rimasti liberi
svolgerebbe un’ottima funzione di conduzione di corrente, comportandosi quindi da ottimi
conduttori della stessa.
Quando viene eseguito questo tipo di drogaggio il semiconduttore viene chiamato di tipo N.
4
Claudio Fratto
Esercitazione N°3
Laboratorio di Elettronica
18-12-2007
SCHEMA:
b) Analisi di un semiconduttore drogato con elementi trivalenti
Se un semiconduttore viene drogato con l’inserimento di elementi trivalenti, i tre elettroni
che formano la banda di valenza dell’elemento drogante sono tutti utilizzati, per formare dei
legami covalenti, da tre degli elettroni di valenza degli elementi che compongono il
semiconduttore. Conseguenza di ciò è la creazione di una lacuna. Essa consiste in un posto
libero, nella banda di valenza dell’elemento drogante, che è in attesa di venire occupato da
un elettrone che, a sua volta, spostandosi va a creare una nuova lacuna. In altri termini la
lacuna può essere vista come una carica positiva mobile che può dare origine ad una
corrente elettrica. Infatti, se si alimenta con un generatore esterno questo tipo di
semiconduttore drogato si verifica un movimento di lacune che genera quindi una
conduzione elettrica.
Quando viene eseguito questo tipo di drogaggio il semiconduttore viene chiamato di tipo P.
SCHEMA:
5
Claudio Fratto
Esercitazione N°3
Laboratorio di Elettronica
18-12-2007
LA GIUNZIONE PN
Se si uniscono un semiconduttore di tipo N ed uno tipo P si crea una giunzione PN . Quando ciò
avviene si verifica uno spostamento di cariche che coinvolge gli elettroni liberi del semiconduttore
di tipo N e le lacune del semiconduttore di tipo P. Essi, essendo di segno opposto, nel punto in cui i
due tipi di semiconduttori si uniscono, si neutralizzano. Verificandosi uno spostamento di cariche,
le lacune che si spostano nel semiconduttore N, lasciano nella zona P della giunzione una carica
negativa, mentre gli elettroni liberi che si spostano nel semiconduttore P, lasciano nella zona N
della giunzione una carica positiva. In maniera consequenziale, dopo che, in prossimità della
giunzione, una certa quantità di elettroni liberi e di lacune si sono neutralizzati e dopo la creazione
di una certa quantità di cariche negative e positive, nelle rispettive parti della giunzione, queste
cariche, generando una differenza di potenziale, non consentono un ulteriore passaggio di elettroni e
di lacune, che sono quindi costrette a rimanere nelle rispettive parti della giunzione. Questa
differenza di potenziale viene comunemente chiamata barriera di potenziale (Vs). Il valore della Vs
varia a seconda del materiale semiconduttore. Per i semiconduttori al silicio essa è pari a 0,6 V,
mentre per i semiconduttori al germanio è pari a 0,2V.
SCHEMA:
LA POLARIZZAZIONE DELLA GIUNZIONE PN
Dopo aver creato una giunzione PN è possibile polarizzarla. La polarizzazione di una giunzione
consiste nel collegare un generatore di tensione ai suoi estremi. Esistono sue tipi di polarizzazione:
la polarizzazione diretta e la polarizzazione inversa.
a) la polarizzazione diretta
Si ha una polarizzazione diretta quando il polo positivo del generatore di tensione viene
collegato alla zona P della giunzione ed il polo negativo viene collegato alla zona N.
Conseguenza di questo collegamento è la restrizione della barriera di potenziale che, essendo
più piccola, consente un più facile attraversamento della stessa dei portatori di carica
maggioritarie (elettroni liberi e lacune), consentendo quindi un passaggio di corrente.
b) la polarizzazione inversa
Si ha una polarizzazione inversa quando il polo positivo del generatore di tensione viene
collegato alla zona N della giunzione ed il polo negativo viene collegato alla zona P.
Conseguenza di questo collegamento è l’allargamento della barriera di potenziale che, essendo
6
Claudio Fratto
Esercitazione N°3
Laboratorio di Elettronica
18-12-2007
più ampia, non consente agli elettroni liberi presenti nella zona N ed alle lacuna presenti nella
zona P di oltrepassare la barriera stessa, non consentendo quindi un passaggio di corrente.
Tuttavia è possibile che sia presente un passaggio di una corrente di piccolissima entità,
chiamata corrente inversa di saturazione, dovuta al movimento dei cosiddetti portatori di
cariche minoritarie cioè al movimento delle lacuna presenti nella zona N e degli elettroni
presenti nella zona P.
La polarizzazione di una giunzione fa si che si crei un componente fondamentale nell’elettronica: il
diodo.
•
CENNI TEORICI SUI DIODI:
I diodi sono dei componenti passivi non lineari, cioè non hanno una proporzionalità tra la
tensione alla quale vengono sottoposti e la corrente che li attraversa, costituiti da una giunzione
PN polarizzata. Essi sono dei componenti bipolari, cioè componenti dotati di due terminali: il
terminale che si collega alla zona P della giunzione viene chiamato anodo (A), mentre il
terminale che si collega alla zona N della stessa viene chiamato catodo (K).
La funzione ideale di un diodo è quella di favorire al massimo il passaggio di corrente da una
parte e di bloccarlo completamente dall’altra.
Questa funzione viene espressa graficamente attraverso la curva caratteristica. Nel caso dei
diodi costituiti da giunzioni al silicio la curva caratteristica, riportata sui data- sheet, è :
Dall’analisi del grafico si può osservare che:
1) con tensioni positive la giunzione si polarizza direttamente. Da un’ulteriore analisi si evince
che:
a) con tensioni comprese tra lo zero e la tensione di soglia (Vs), il valore che assume la
corrente è trascurabile;
b) con tensioni superiori alla tensione di soglia, il valore che assume la corrente è
apprezzabile;
c) per piccole variazioni di tensione, superiore alla tensione di soglia, si hanno grandi
variazioni di corrente.
2) con tensioni negative la giunzione si polarizza inversamente.
In questo caso il valore della corrente è molto piccolo; esso rappresenta la corrente inversa
di saturazione.
7
Claudio Fratto
•
Esercitazione N°3
Laboratorio di Elettronica
18-12-2007
FASE 1:
Per rilevare la curva di risposta di un diodo costituito da una giunzione al silicio polarizzata
direttamente si è montato un circuito dotato di un generatore di tensione, caratterizzato da una
resistenza interna trascurabile, con in serie una resistenza R ed un diodo. Lo scopo della R era
quello di limitare la quantità di corrente che può passare nel diodo onde evitarne uno di valore
superiore a quello massimo e specifico previsto per ciascun componente che, in caso di un
passaggio di corrente di grande entità, potrebbe rompersi.
In fase di realizzazione del circuito si è inserito:
1) un multimetro, impostato come milliamperometro, immediatamente dopo ed in serie alla R,
per rilevare il valore della corrente che passa nel diodo;
2) un multimetro, impostato come voltmetro, ai capi del diodo per rilevarne la sua caduta di
tensione.
Finite le operazioni di collegamento si è passati alla rilevazione dei dati. Sono state effettuate 14
rilevazioni.
Procedendo in maniera logica si sarebbe dovuto fornire un valore di tensione al circuito, per
mezzo del generatore, per poi rilevare il valore della corrente che attraversa il diodo e la sua
caduta di tensione. Tuttavia, per evitare di rilevare valori di corrente davvero elevati, si è andati
a fornire valori di tensione al circuito facendo si che la corrente che attraversava il diodo avesse
un valore fissato all’inizio dell’esperienza, verificandolo sul multimetro impostato come
milliamperometro. Per ognuna delle 14 rilevazioni si è quindi rilevato il valore della caduta di
tensione del diodo.
•
FASE 2:
Alla rilevazione dei dati è seguita la trascrizione degli stessi in una tabella (vedi foglio 2). Una
volta terminata la compilazione della tabella si è stati in grado di rappresentare la curva
caratteristica del diodo su un grafico di assi cartesiani posizionando sull’asse delle ascisse i
valori della caduta di tensione avente luogo sul diodo, espressi in Volt, e sull’asse delle
ordinate i valori di corrente attraversante lo stesso componente, espressi in mA.
Una volta posizionati tutti i punti (ognuno dei quali rappresentavano i valori di ogni singola
rilevazione) si è stati in grado di congiungerli ricavandone una curva raffigurata nel foglio 3.
•
FASE 3:
Dopo aver rappresentato il grafico si è potuti passare alla sua analisi.
ANALISI SULLA CURVA CARATTERISTICA:
a)
b)
c)
la curva, fino al raggiungimento della tensione di soglia, si sovrappone all’asse delle
ascisse, dimostrando la trascurabilità della corrente rilevata;
la curva, una volta superato il valore della tensione di soglia (Vs), assume un andamento
crescente, dimostrando l’apprezzabilità della corrente rilevata;
la curva, superato il valore di Vs, ha un andamento che, in maniera repentina, tende a
diventare quasi verticale, dimostrando che per piccole variazioni di tensione si hanno
grandi variazioni di corrente.
Dall’analisi effettuata si può affermare che il diodo utilizzato nell’esperienza ha funzionato in
maniera corretta.
8