Scienza dei materiali — Italiano - Dipartimento di Scienza dei Materiali

CURRICULUM VITAE DI Stefano Sanguinetti
COGNOME NOME:
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Sanguinetti Stefano
Professore Associato di Fisica della Materia
Dipartimento di Scienza dei Materiali,
Università degli Studi di Milano-Bicocca
Via Cozzi 53, 20125 Milano
0264485156
[email protected]
www.mater.unimib.it
CARRIERA
ACCADEMICA
12/2004 – presente Professore Associato di Fisica della
Materia presso l'Università degli Studi di Milano-Bicocca
04/1996 - 12/2004 Ricercatore di Struttura della Materia
(B03X - FIS03) presso il Dipartimento di Scienza dei Materiali
della Facoltà di Scienza Matematiche Fisiche e Naturali
dell'Università degli Studi di Milano, dal 1.11.1998 Università
degli Studi di Milano-Bicocca.
Dottorato di Riceca in Fisica presso l'Università di Milano nel
1992.
Laureato in Fisica nel 1988 presso l'Università di Milano
(110/110 cum laude)
DIDATTICA
- Fisica dei materiali 2 (per CdL in Scienza dei Materiali - U.
Milano Bicocca) (a.a. 08-09 - 12/13 )
- Fisica delle Nanostrutture (per CdL in Scienza dei Materiali U. Milano Bicocca) (a.a. 99/00 e 02/03 - 07/08)
- Laboratorio di Fisica Generale (per CdL in Chimica - U.
Milano ) (a.a. 99/00)
- Laboratorio di Fisica dei Materiali I (per CdL in Scienza dei
Materiali - U. Milano Bicocca) (a.a. 00/01 - 07/08)
- Fisica del Continuo Dielettrico ed Elastico (per CdL in
Scienza dei Materiali - U. Milano Bicocca) (a.a. 02/03 07/08)
- Introduzione alla Fisica dello Stato Solido (per CdL in Fisica
- U. Milano Bicocca) (a.a. 08/09 - 09/10 )
- Laboratorio di Stato Solido (per CdL in Fisica - U. Milano
Bicocca) (a.a. 12/13)
ATTIVITA’ DI RICERCA
L' attività di ricerca mia e del mio gruppo si rivolge
principamente alla realizzazione, mediante epitassia da fasci
atomici. e allo studio, mediante tecniche di caratterizzazione
strutturale e spettroscopia ottica, di materiali semiconduttori
nanostrutturati. In particolare i sistemi studiati sono strutture
a confinamento quantistico di semiconduttori III-V (quantum
dots, quantum rings, quantum wires) anche integrati su
silicio. Gli argomenti di ricerca approfonditi rigurdano vari
aspetti connessi alle applicazioni optoelettroniche di questi
materiali. L'attività sperimentale è integrata da una teorico-
modellistica.
Argomenti di ricerca in breve:
- Crescita per epitassia da fascio molecolare, di
semiconduttori III-V
- Realizzazione e studio di nanostrutture quantistiche
(quantum dots etc.) per applicazioni optoelettroniche
- Modellizzazione teorica degli stati elettronici e della
dinamica di portatori nanostruture di semiconduttori
ALTRO
- Membro del Collegio e Docente del Dottorato Europeo in
Nanostrutture e Nanotecnologie presso l'Università degli
Studi di Milano Bicocca (a.a. 00/01 - 12/13)
- Membro dello Scientific Advisory Board della International
Conference on Crystal Growth and Epitaxy
- Membro del Program Committee della Conferenza
SemiconNano
10 PRINCIPALI
PUBBLICAZIONI
RELATIVE AGLI
ULTIMI CINQUE ANNI
[1] K. Reyes, P. Smereka, D. Nothern, J. M. Millunchick, S.
Bietti, C. Somaschini, S. Sanguinetti, and C. Frigeri, “Unified
model of droplet epitaxy for compound semiconductor
nanostructures: Experiments and theory,” Physical Review B,
vol. 87, no. 16, p. 165406, Apr. 2013.
[2] L. Cavigli, S. Bietti, N. Accanto, S. Minari, M. Abbarchi, G.
Isella, C. Frigeri, A. Vinattieri, M. Gurioli, and S. Sanguinetti,
“High temperature single photon emitter monolithically
integrated on silicon,” Appl. Phys. Lett., vol. 100, no. 23, p.
231112, 2012.
[3] C. Somaschini, S. Bietti, N. Koguchi, and S. Sanguinetti,
“Fabrication of multiple concentric nanoring structures.,”
Nano Lett., vol. 9, no. 10, p. 3419, Oct. 2009.
[4] S. Bietti, C. Somaschini, S. Sanguinetti, N. Koguchi, G.
Isella, and D. Chrastina, “Fabrication of high efficiency III-V
quantum nanostructures at low thermal budget on Si,” Appl.
Phys. Lett., vol. 95, no. 24, p. 241102, 2009.
[5] C. Somaschini, S. Bietti, N. Koguchi, F. Montalenti, C.
Frigeri, and S. Sanguinetti, “Self-assembled GaAs islands on
Si by droplet epitaxy,” Appl. Phys. Lett., vol. 97, no. 5, p.
053101, 2010.
[6] C. Somaschini, S. Bietti, S. Sanguinetti, N. Koguchi, and
A. Fedorov, “Self-assembled GaAs/AlGaAs coupled quantum
ring-disk structures by droplet epitaxy.,” Nanotechnology,
vol. 21, no. 12, p. 125601, 2010.
[7] L. Bagolini, A. Mattoni, G. Fugallo, L. Colombo, E. Poliani,
S. Sanguinetti, and E. Grilli, “Quantum Confinement by an
Order-Disorder Boundary in Nanocrystalline Silicon,” Phys.
Rev. Lett., vol. 104, no. 17, p. 176803, Apr. 2010.
[8] C. Somaschini, S. Bietti, N. Koguchi, and S. Sanguinetti,
“Coupled quantum dot–ring structures by droplet epitaxy,”
Nanotechnology, vol. 22, no. 18, p. 185602, May 2011.
[9] C. Somaschini, S. Bietti, N. Koguchi, and S. Sanguinetti,
“Shape control via surface reconstruction kinetics of droplet
epitaxy nanostructures,” Appl. Phys. Lett., vol. 97, p.
203109, 2010.
[10] L. Cavigli, M. Abbarchi, S. Bietti, C. Somaschini, S.
Sanguinetti, N. Koguchi, a. Vinattieri, and M. Gurioli,
“Individual GaAs quantum emitters grown on Ge substrates,”
Appl. Phys. Lett., vol. 98, no. 10, p. 103104, 2011.
[11] C. Somaschini, S. Bietti, A. Scaccabarozzi, E. Grilli, and
S. Sanguinetti, “Self-Assembly of Quantum Dot-Disk
Nanostructures via Growth Kinetics Control,” Crystal Growth
& Design, vol. 12, no. 3, pp. 1180–1184, Mar. 2012.