programma finale

ISTITUTO TECNICO SETTORE TECNOLOGICO
“Emanuele Morselli”
VIA PITAGORA
93012 GELA (CL) - Italia
PROGRAMMA FINALE
PROF. CACIOPPO SALVATORE
PROF. BOGNANNI VINCENZO
MATERIA: T.P.S.E.E.
CLASSE IV SEZ. B - INDIRIZZO: ELETTRONICA ED ELETTROTECNICA
ARTICOLAZIONE: ELETTRONICA
DATA DI PRESENTAZIONE Giugno 2016
PROGRAMMA DI TPSEE
SVOLTO NELLA CLASSE 4^ B ELETTRONICA
Teoria dei semiconduttori; Giunzione P-N: Funzionamento - Diodo a giunzione,
Caratteristica di un diodo a giunzione: reale, ideale,
Caratteristica spezzata verticale e spezzata inclinata; circuiti equivalenti;
Dipendenze dalla temperatura delle caratteristiche del diodo;
Potenza dissipata da un diodo;- Codice per i dispositivi a semiconduttore;
Diodi zener: applicazioni; Diodi zener commerciali;
Retta di carico; Circuiti limitatori; Raddrizzatore di picco; Circuito fissatore,
Filtro passa-basso e passa-alto;
Alimentatori non stabilizzati;- Alimentatori stabilizzati;- Raddrizzatore:
Raddrizzatore ad una semionda;
Raddrizzatore a due semionde con secondario del trasformatore a presa centrale;
Raddrizzatore a due semionde con ponte di Graetz;
Alimentatori con filtro a ingresso capacitivo;
Studio quantitativo dell'alimentatore a doppia semionda e ingresso capacitivo;
Ripple, corrente nei diodi; Diodi zener funzionanti come stabilizzatori di tensione;
GLI STADI STABILIZZATORI DI TENSIONE
Dimensionamento della rete stabilizzatrice a diodo zener;
Determinazione della escursione della tensione d'uscita;
Considerazioni termiche;- Dissipazione termica; Radiatori termici;
Scelta dei radiatori termici dalle tabelle e data-sheet;
Stabilizzatori integrati a tre terminali: serie 78xx e 79xx ; studio dell'integrato LM317;
Calcolo di R2 per la variazione della tensione di uscita;
Dimensionamento secondo la dissipazione di potenza;
TRANSISTORI - BJT
Transistori NPN,PNP; Guadagno statico; caratteristiche d’ingresso e d’uscita; polarizzazione;
Circuito di polarizzazione del transistore con 4 resistenze;
Teoria dei quadripoli, parametri ibridi; configurazione del transistore a emettitore comune;
Amplificatore a C.E. calcolo dei parametri: Ai, Av, Avt, Ri, Ri’, Ro,Ro’.
Amplificatore a CE con resistenza sull’emettitore; calcolo di: Ai, Av, Avt, Ri, Ri’, Ro,Ro’.
Preamplificatore a doppio stadio;
AMPLIFICATORI OPERAZIONALI
caratteristiche : Guadagno di tensione ad anello aperto Av; Resistenza d’ingresso Ri; GBW;
Resistenza d’uscita Ro , Banda passante B, Concetto di massa virtuale;
configurazione invertente, configurazione non invertente;
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Sommatore, sottrattore e differenziale; semplici applicazioni;
PROGETTAZIONE
Alimentatori non stabilizzati; - Alimentatori stabilizzati con zener;
Radiatori termici;
Alimentatori con tensione d'uscita variabile;
Alimentatore Con LM317: dimensionamento di tutti i componenti;
Alimentatore stabilizzato con l’utilizzo dell’ LM317 con tensione d'uscita
V0 = 5 • 7.5 • 9 • 12 V e con corrente di uscita Io=500 mA e Io= 3 A;
Progetto di un preamplificatore con BJT a doppio stadio avente Av=50;
DISEGNI
Circuiti cimatori;
Alimentatore stabilizzato con zener;
Alimentatore stabilizzato con LM317 ;
Preamplificatore a due stadi con BJT;
Gela 06.06.2016
gli insegnanti
Gli alunni:
prof. Cacioppo Salvatore
prof. Vincenzo Bognanni
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