Francesco Montalenti - Dipartimento di Scienza dei Materiali

CURRICULUM VITAE DI NOME E COGNOME
COGNOME NOME:
QUALIFICA:
INDIRIZZO:
TELEFONO:
E-MAIL:
WEB PAGE:
Montalenti Francesco Cimbro Mattia
Professore Associato
Dipartimento di Scienza dei Materiali, Via Cozzi 53, 20126
Milano
0264485226
[email protected]
www.mater.unimib.it/utenti/montalenti
CARRIERA
ACCADEMICA
2002: Ricercatore di Fisica della Materia
2005: Ricercatore confermato di Fisica della Materia
2012: Professore Associato di Fisica della Materia
(presso Università di Milano-Bicocca)
DIDATTICA
Termodinamica Statistica Computazionale dei Solidi (Corso di
Laurea Magistrale in Fisica, 6 CFU)
Struttura della Materia II (Corso di Laurea in Scienza dei
Materiali, 6 CFU)
ATTIVITA’ DI RICERCA
Modellizzazione di processi di crescita e di rilascio elastico e
plastico di strain in film e nanostrutture eteroepitassiali
ALTRO
10 PRINCIPALI
PUBBLICAZIONI
RELATIVE AGLI
ULTIMI CINQUE ANNI
1. Bergamaschini, R; Tersoff, J; Tu, Y; Zhang, JJ; Bauer, G;
Montalenti, F, Anomalous Smoothing Preceding Island
Formation During Growth on Patterned Substrates, Phys.
Rev. Lett. 109, 156101 (2012).
DOI: 10.1103/PhysRevLett.109.156101
2. Zhang, JJ; Montalenti, F; Rastelli, A; Hrauda, N; Scopece, D;
Groiss, H; Stangl, J; Pezzoli, F; Schaffler, F; Schmidt, OG;
Miglio, L; Bauer, G, Collective Shape Oscillations of SiGe
Islands on Pit-Patterned Si(001) Substrates: A CoherentGrowth Strategy Enabled by Self-Regulated Intermixing,
Phys. Rev. Lett. 105, 166102 (2010).
DOI: 10.1103/PhysRevLett.105.166102
3. Zhang, JJ; Katsaros, G; Montalenti, F; Scopece, D; Rezaev,
RO; Mickel, C; Rellinghaus, B; Miglio, L; De Franceschi, S;
Rastelli, A; Schmidt, OG, Monolithic Growth of Ultrathin Ge
4.
5.
6.
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8.
9.
Nanowires on Si(001), Phys. Rev. Lett. 108, 085502 (2012).
DOI: 10.1103/PhysRevLett.109.085502
Cereda, S; Zipoli, F; Bernasconi, M; Miglio, L; Montalenti, F,
Thermal-hydrogen promoted selective desorption and
enhanced mobility of adsorbed radicals in silicon film growth,
Phys. Rev. Lett. 100, 046105 (2008).
DOI: 10.1103/PhysRevLett.100.046105
Gatti, R; Uhlik, F; Montalenti, F, Intermixing in heteroepitaxial
islands: fast, self-consistent calculation of the concentration
profile minimizing the elastic energy, New J. Phys. 10,
083039 (2008). DOI: 10.1088/1367-2630/10/8/083039
Chen, G; Sanduijav, B; Matei, D; Springholz, G; Scopece, D;
Beck, MJ; Montalenti, F; Miglio, L, Formation of Ge
Nanoripples on Vicinal Si (1110): From Stranski-Krastanow
Seeds to a Perfectly Faceted Wetting Layer, Phys. Rev. Lett.
108, 055503 (2012). DOI: 10.1103/PhysRevLett.108.055503
Boioli, F; Gatti, R; Grydlik, M; Brehm, M; Montalenti, F; Miglio,
L, Assessing the delay of plastic relaxation onset in SiGe
islands grown on pit-patterned Si(001) substrates, Appl.
Phys. Lett. 99, 033106 (2011). DOI: 10.1063/1.3615285
Schulli, TU; Vastola, G; Richard, MI; Malachias, A; Renaud,
G; Uhlik, F; Montalenti, F; Chen, G; Miglio, L; Schaffler, F;
Bauer, G, Enhanced Relaxation and Intermixing in Ge Islands
Grown on Pit-Patterned Si(001) Substrates, Phys. Rev. Lett.
102, 025502 (2009). DOI: 10.1103/PhysRevLett.102.025502
Vastola, G; Grydlik, M; Brehm, M; Fromherz, T ; Bauer,
G ; Boioli, F; Miglio, L; Montalenti, F, How pit facet
inclination drives heteroepitaxial island positioning on
patterned substrates, Phys. Rev. B 84, 155415 (2011).
DOI: 10.1103/PhysRevB.84.155415
10. Bergamaschini, R, Brehm, M; Grydlik, M; Fromherz, T;
Bauer, G; Montalenti, F, Temperature-dependent
evolution of the wetting layer thickness during Ge
deposition on Si(001), Nanotechnol. 22, 285704 (2011).
DOI: 10.1088/0957-4484/22/28/285704