Mauro Scandiuzzo

Mauro Scandiuzzo- Curriculum Vitae
Mauro Scandiuzzo
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Dati personali
Istruzione
Mauro Scandiuzzo
Stato civile: Celibe
Nazionalità: Italiana
E-mail: [email protected]
Gennaio 2003
Ha superato l’esame di stato per l’abilitazione
alla professione di ingegnere.
A.A. 2001-2002
Laurea in Ingegneria Elettronica, orientamento
Microelettronica ed Elettronica Applicata,
conseguita il 08/07/02 presso l’Università degli
Studi di Padova con la votazione di 89/110.
2000
Vincitore di borsa di studio, nell’ambito del
progetto SOCRATES-ERASMUS, della durata di
7 mesi (Febbraio-Settembre 2000) presso il
dipartimento
di
“Engenharia
Electronica”
dell’Università di Aveiro (Portogallo).
1994
Diploma di scuola media superiore come perito
elettronico conseguito presso l’istituto tecnico
“Galileo Galilei” di Conegliano (TV) con la
votazione di 48/60.
.
Tesi di Laurea
Titolo: “Progettazione di un convertitore A/D two-step a 6bit per
elaborazione on-chip di segnali da sensori ottici lineari”.
Relatori: Prof. Andrea Neviani
Correlatori: Prof. Gian-Franco Dalla Betta, Ing. David Stoppa
Contenuto: Oggetto della tesi e` stato il progetto e la realizzazione di un
convertitore analogico/digitale in tecnologia CMOS 0.6µm
dedicato all’elaborazione “on-chip” di segnali provenienti da
sensori ottici lineari. In particolare il convertitore costituisce
uno dei blocchi funzionali di un sensore di posizione
intelligente, chiamato COLOR_SENS, per sistemi di visione
3D basati sulla triangolazione ottica attiva. Il lavoro di tesi e`
stato svolto presso la Divisione di Microsistemi del Centro per
la Ricerca Scientifica e tecnologica di Trento (ITC-Irst).
Esperienze di
lavoro
Settembre 2002-Oggi
Ricercatore presso l’istituto di ricerca ITC-irst di Trento, Divisione
Microsistemi, gruppo SOI (Sensori Ottici Integrati).
Nel corso del suddetto periodo sono state acquisite varie competenze
nell’ambito della progettazione di circuiti e dispositivi integrati per la
visione tridimensionale.
L’attivita’ svolta e` inquadrata in progetti di ricerca che coinvolgono sia
aziende private, quali i laboratori di Ricerca e Sviluppo di SIEMENS-AG
di Monaco, che altri istituti a livello nazionale e internazionale.
In tali attivita`inizialmente si e` occupato della progettazione di circuiti
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elettronici con l’ausilio di strumenti CAD professionali tipo Cadence.
Successivamente si e` dedicato all’analisi di dispositivi per la
fotogenerazione quali APD (Avalanche Photodiode), SPAD (Single
Photon Avalanche Diode) e SiPM (Silicon Photon Multiplier) e MSM
(Metal-Semicoductor-Metal), fotodiodi, fototransistor, diodi con strati di
germanio per la fotorilevazione nell’infrarosso e dispositivi innovativi atti
al mixing di fotoni. Lo studio di tali dispositivi e` stato condotto tramite
l’ausilio del simulatore di dispositivo e di processo ISE-TCAD.
Si e` inoltre occupato dello studio di tecnologie VLSI quali CMOS,
BiCMOS e SiGeBiCMOS e relative tecniche utilizzate per la realizzazione
di dispositivi MEMS.
Con le competenze acquisite ha autonomamente eseguito l’intero flusso
progettuale consistente nella modellazione, simulazione e progettazione
di chip a partire dalle specifiche di progetto. A tal fine si sono create le
competenze necessarie per lo sviluppo di ASIC in tecnologia CMOS nella
sua completezza, della relativa scheda per il test del sensore e
dell’utilizzo della strumentazione necessaria per la sua caratterizzazione
elettro-ottica.
In contemporanea ha partecipato alla stesura di rapporti interni all’istituto,
di articoli pubblicati su una serie di riviste scientifiche e di un brevetto; il
tutto viene riportato nella sottostante lista di pubblicazioni
Ottobre 2000-Giugno 2001
Collaborazione con l’Universita` degli studi di Padova per l’analisi e
elaborazione statistica dell’andamento dei corsi di Laurea, all’interno del
progetto di collaborazione studentesca con borse pari a 150 ore
lavorative.
Settembre 1998-Settembre 2002
Operatore di cabina presso il cinema di Cornuda
Lingue straniere
Inglese
Buona conoscenza della lingua scritta in particolare per quanto concerne
linguaggio tecnico e buona conoscenza dell’inglese parlato
Portoghese
Padronanza molto buona della lingua parlata e buona di quella scritta
Spagnolo
Buona comprensione della lingua parlata
Obblighi di leva
Assolti
Corsi
2003, 13-17 Ottobre: “CMOS Analog Integrated Circuit Design”, Phillip E.
Allen (Schlumberger Professor of Electrical Engineering – Georgia
Institute of Technology), ITC-irst, Povo -Trento.
2004, 25 Ottobre: “The Underpinnings of the MOS Transistor and CMOS
Technology in the 21st Century – Scaling Theory and New Methods in
Analog/RF Design” Dr. Daniel Foty (Gilgamesh Associates Fletcher,
Vermont USA), Politecnico di Torino, Torino.
2004, 24-25 Novembre: “Recent Advances in Ultra Shallow Junctions”, J.
A. van den Berg (University of Salford, Salford,UK), P. Pichler
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(Frauenhofer Institute, Erlanger, D), V. Privitera (CNR-IMM, Catania, I), J.
H. Evans-Freeman (Sheffield Hallam University, Sheffield, UK), D.
Giubertoni (ITC-irst, Trento I), L. Capello (ESRF, Grenoble, F), P.-F.
Staub (CAMECA, Courbevoie cedex, F), J. A. van den Berg (University of
Salford, Salford, UK), L. Vanzetti (ITC-irst, Trento I), J.L. Stehle (SopraSa, Bois Colombes, F), ITC-irst, Povo –Trento
Competenze
tecniche
Linguaggi di programmazione: nozioni di Pascal, C++, Java.
Sistemi operativi: MS-DOS, Windows 9x/NT4/2000/XP, Unix.
Word processor: Microsoft Word, Lattex.
Applicativi: MATLAB, FEMLAB, Microsoft Office, Smartdraw, CorelDraw.
Cad Tools: Cadence, ISE-TCAD.
Simulatori Circuitali: Hspice, Spectre, SpectreVerilog, Orcad.
Strumentazione di laboratorio:Tektronix TLA714 Logic Analyzer
LeCroy WavePro 7200 Oscilloscopio
HP4145B Semiconductor Parameter
Agilent 4156C Semiconductor Parameter
Analizzatore di spettro e di impedenza
Pubblicazioni
D. Stoppa, L. Pancheri, M. Scandiuzzo, M. Malfatti, G. Pedretti and
L. Gonzo “A Single-Photon-Avalanche-Diode 3D Imager”, Proc. IEEEESSCIRC 2005,12-16 September 2005, Grenoble, France.
L. Pancheri, G-F. Dalla Betta, D. Stoppa, M. Scandiuzzo, L.
Viarani, A. Simoni “CMOS Distance Sensor based on Single Photon
Avalanche Diode”, Proc. IEEE-PRIME, 25-27 July 2005, EPFL
Lausanne, Switzerland
F. De Nisi, D. Stoppa, M. Scandiuzzo, L. Gonzo, L. Pancheri, G-F
Dalla Betta “Design of Electro-Optical Demodulating Pixel in CMOS
Technology”, Proc.ISCAS 2005, 23-26 May 2005, Kobe, Japan
D. Stoppa, L. Pancheri, M. Scandiuzzo, A. Simoni, L. Viarani, G-F.
Dalla Betta, “A CMOS Sensor based on Single Photon Avalanche
Diode for Distance Measurement Applications”, Proc. IEEE
Instrumentation and Measurement Technology Conference, Ottawa,
Ontario, CANADA, 17-19 May 2005
M. Scandiuzzo, F. De Nisi, L. Pancheri, D. Stoppa, L. Gonzo,G.-F.
Dalla Betta and A. Simoni “CMOS Distance Sensor Based On
Photon Mixing Device”, Proc. Sensor+Test 2005, 10-12 May 2005
Nornberg, Germany
L. Pancheri, G.-F. Dalla Betta, M. Scandiuzzo, F. De Nisi, D Stoppa, L.
Gonzo and A. Simoni “CMOS Electro-Optical Mixer for Range Finders”,
AISEM 2005, Conferenza Italiana su Sensoristica e Microsistemi, 15-17
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Febbraio 2005, Firenze.
L. Pancheri, M. Scandiuzzo, G.-F. Dalla Betta, D. Stoppa,F. De Nisi, L.
Gonzo ,A. Simoni “A Silicon Metal-Semiconductor-Metal photodetectorr
macromodel for circuit simulations”, Solid State Electronics, Vol. 49,
February 2005, pp. 175-181.
Brevetto
Brevetto n. TO2004A000543 depositato in data 02.08.2004 dal
titolo “Dispositivo per la rivelazione di radiazione elettromagnetica,
pixel e matrice di pixel comprendenti siffatti dispositivi, e sensori
ottici comprendenti una tale matrice di pixel”
Rapporti tecnici
M. Scandiuzzo, F. De Nisi, D.Stoppa ,A. Simoni ,L. Pancheri ,G.-F. Dalla
Betta, "Testing di dispositivi Metallo-Semiconduttore-Metallo in tecnologia
CMOS", ITC-irst, Technical report, Ref. No.: T04-09-07, September 2004.
M. Scandiuzzo, A. Simoni, L. Gonzo, ”Analisi teorica e sviluppo del
modello elettro-ottico del fotodiodo con relativo manuale d’uso”, ITC-irst,
Internal circulation, Ref. No. T03-12-06, December 2003.
F. De Nisi, D. Stoppa, M. Scandiuzzo, L. Gonzo, A. Simoni, G.-F. Dalla
Betta, L. Pancheri, "MSMTest: un test-chip per la misura di dispositivi
Metallo-Semiconduttore-Metallo (MSM) in tecnologia CMOS", ITC-irst,
Internal report, Ref. No. T03-12-03, December 2003.
L. Pancheri, G.-F. Dalla Betta, M. Scandiuzzo, F. De Nisi, D.
Stoppa, A. Simoni, "Dispositivo Metallo-Semiconduttore-Metallo in
tecnologia CMOS: analisi di funzionamento e modellizzazione", ITCirst, Project report, Ref.No. 0306-24, July 2003.
Interessi personali
Amici, viaggi, sport, natura, musica, teatro, ballo, film, lingue straniere,
associazionismo tra cui coordinamento di attivita` culturali, ludiche e di
intrattenimento per studenti stranieri all’interno della network europea
ESN (Erasmus Student Network), attivita` di animazione per giovani e
ragazzi a livello parrocchiale comunale e all’interno di Progetto Giovani
del Comune di Cornuda (TV)
Caratteristiche
personali
Piena disponibilità` per trasferte nazionali ed estere anche di lunga
durata.
Mauro Scandiuzzo
Autorizzo il trattamento dei miei dati personali ai fini della Ricerca e Selezione del Personale in
ottemperanza al Decreto Legislativo n° 196/2003.
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