Didattica_files/tecnologia dei transistor

Gli impaccamenti dei transistor, determinano la potenza dissipabile, pertanto si va da impaccamenti per transistor con piccole correnti a
montaggio superfciale, a transistor di qualche decina di ampere, ai transistor di grossa potenza.
BJT data sheet
Per quanto riguarda i data sheet, la sigla del componente con una breve descrizione , i valori massimi assoluti, i valori nominali dei
parametri caratteristici per un dato valore di temperatura. La seguente tabella riporta i valori massimi assoluti spe- cifcati nel data sheet
dei transistor MJB44H11 e MJB45H11.
I valori più indicativi sono i seguenti:
• La massima tensione applicabile tra collettrore ed emettitore, V CEO ≤ 80 V;
• il massimo valore di corrente continua di collettrore, lc ≤10 A
I parametri più signifcativi sono:
• la corrente di perdita dal collettore in situazione OFF(VBE = O), ICES 10 μA (da qui la necessità di una resistenza di pull-down tra base ed
emettitore, per evitare che questa si trasformi in corrente di base effettiva);
• il valore della tensione di saturazione, per IC = 8A e IB= 0,4A,VCE(sat) ≤ 1,0V;
• il valore minimo del guadagno di corrente (hFE) in due situazioni specifche.
MOSFET data sheet
Il data sheet del MOSFET ST880NF55L-06 passa in rassegna i massimi assoluti, tra i quali si ritrovano VDs ≤ 55V, ID 80 A, presenti nel
titolo, e in aggiunta VGS ≤ ± 16 V, a ricordare la presenza del doppio Zener tra i terminali di gate e di source.
Tra le caratteristiche ne riporta due. Si tratta di caratteristiche normalizzate, ovvero con i valori della grandezza in ordinate riferiti al valore
della grandezza stessa a 25 °C.
I.p.s.i.a Di
Bocchigliero
Alunni: Forciniti Angela – Mingrone Rocco
A.S. 2015-2016
Classe 3°
Gli impaccamenti dei transistor, determinano la potenza dissipabile, pertanto si va da impaccamenti per
transistor con piccole correnti a montaggio superfciale, a transistor di qualche decina di ampere, ai transistor
di grossa potenza.
BJT data sheet
Per quanto riguarda i data sheet, la sigla del componente con una breve descrizione , i valori massimi assoluti,
i valori nominali dei parametri caratteristici per un dato valore di temperatura. La seguente tabella riporta i
valori massimi assoluti spe- cifcati nel data sheet dei transistor MJB44H11 e MJB45H11.
I valori più indicativi sono i seguenti:
• La massima tensione applicabile tra collettrore ed emettitore, VCEO ≤ 80 V;
• il massimo valore di corrente continua di collettrore, lc ≤10 A
I parametri più signifcativi sono:
• la corrente di perdita dal collettore in situazione OFF(VBE = O), ICES 10 μA (da qui la necessità di una
resistenza di pull-down tra base ed emettitore, per evitare che questa si trasformi in corrente di base effettiva);
• il valore della tensione di saturazione, per IC = 8A e IB= 0,4A,VCE(sat) ≤ 1,0V;
• il valore minimo del guadagno di corrente (hFE) in due situazioni specifche.
MOSFET data sheet
Il data sheet del MOSFET ST880NF55L-06 passainrassegna i massimi assoluti, tra i quali si ritrovano VDs ≤ 55V,
ID 80 A, presenti nel titolo, e in aggiunta VGS ≤ ± 16 V, a ricordare la presenza del doppio Zener tra i terminali
di gate e di source.